近日外媒爆料，苹果公司正在为 2027 年 20 周年纪念版 iPhone机型研发多项创新技术，其中关键发展方向之一就是HBM内存技术。

具体来说，HMB内存（中文名“高带宽内存”）就是一种全新的基于3D堆栈技术的高性能DRAM，通过与处理器相同的“Interposer”中间介质层与计算芯片实现紧凑连接，它能有效提高数据吞吐量，实现更高的集成度，同时降低功耗并缩小内存芯片体积，显著减少了数据传输时间，目前主要应用于AI服务器。

据悉，目前苹果已与三星电子和SK海力士等主要内存供应商讨论HMB内存计划。苹果公司希望利用移动HMB内存与设备的GPU单元连接来增强iPhone端AI能力，这项技术对于设备端侧AI大模型非常关键，既可避免iPhone 耗电过快，又能降低延迟反应时间。

不过话说移动HBM内存技术面临一些问题：第一个就是制造成本偏高，远高于现有的LPDDR内存；第二个是iPhone手机比较轻薄，散热问题是一项大挑战；第三个就是3D堆叠工艺属于高度复杂的封装工艺，合格率目前并不高。

此前传闻苹果正在研发 的20 周年纪念版 iPhone机型共两款 。一款是以玻璃为中心的  iPhone Pro 版机型，另一款则是网传已久的可折叠 iPhone机型。若这两款里程碑产品采用以上HBM内存技术，这将成为又一创新之举，展示苹果在智能手机领域新突破。